具多阶型存储器胞阵列的非易失性存储器及编程控制方法
实质审查的生效
摘要

具多阶型存储器胞阵列的非易失性存储器及编程控制方法。该非易失性存储器包括一存储器胞阵列、一电流供应电路、一路径选择电路、一验证电路与一控制电路。在一验证动作的一采样区间时,该控制电路控制该电流供应电路提供n个第M参考电流至该n个验证元件,并转换为n个参考电压。在该验证动作的一验证区间时,该控制电路控制一选定行的n个多阶型存储器胞产生n个存储器胞电流至该n个验证元件,并转换为n个感测电压。该n个验证元件根据对应的该参考电压与对应的该感测电压,产生该n个验证信号,使得该控制电路决定该n个多阶型存储器胞是否到达一第M存储状态。

基本信息
专利标题 :
具多阶型存储器胞阵列的非易失性存储器及编程控制方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114360616A
申请号 :
CN202110668224.X
公开(公告)日 :
2022-04-15
申请日 :
2021-06-16
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
张家福古惟铭陈英哲
申请人 :
力旺电子股份有限公司
申请人地址 :
中国台湾新竹科学园区
代理机构 :
北京市柳沈律师事务所
代理人 :
徐协成
优先权 :
CN202110668224.X
主分类号 :
G11C17/16
IPC分类号 :
G11C17/16  G11C17/18  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C17/00
只可一次编程的只读存储器;半永久存储器,例如:可手动更换的信息卡
G11C17/14
通过有选择地建立、断开或修改能永久变更耦合元件状态的连接链路确定其存储内容的,例如,PROM
G11C17/16
应用电可熔链路的
法律状态
2022-05-03 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 17/16
申请日 : 20210616
2022-04-15 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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