负电平移位器和包括其的非易失性存储器件
公开
摘要

一种包括移位电路和锁存电路的负电平移位器。该移位电路使用具有不同特性的低电压晶体管和高电压晶体管,使第一输入信号的电平和第二输入信号的电平移位,以在第一输出节点和第二输出节点处分别提供第一输出信号和第二输出信号,第一输出信号与第二输出信号具有互补的电平。该锁存电路在第一输出节点和第二输出节点处连接到移位电路,锁存第一输出信号和第二输出信号,接收电平小于接地电压的负电压,并且基于第一输出节点处的电压电平和第二输出节点处的电压电平,分别互补地将第二输出信号和第一输出信号驱动到电源电压的电平或负电压的电平。

基本信息
专利标题 :
负电平移位器和包括其的非易失性存储器件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114267394A
申请号 :
CN202110693004.2
公开(公告)日 :
2022-04-01
申请日 :
2021-06-22
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
杨秀烈金炯坤宋永先
申请人 :
三星电子株式会社
申请人地址 :
韩国京畿道
代理机构 :
北京市立方律师事务所
代理人 :
李娜
优先权 :
CN202110693004.2
主分类号 :
G11C16/08
IPC分类号 :
G11C16/08  G11C16/04  G11C8/08  G11C8/10  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的,例如,FAMOS
G11C16/08
地址电路;译码器;字线控制电路
法律状态
2022-04-01 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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