真空蒸镀装置用的蒸镀源
公开
摘要
本发明提供一种可尽量抑制蒸镀中被处理基板和掩模板的温度上升的真空蒸镀装置用的蒸镀源。配置在真空室内用于对被处理基板进行蒸镀的真空蒸镀装置用的蒸镀源(DS)，其具有填充蒸镀材料(Vm)的容器(41)和加热该容器内的蒸镀材料的加热装置(43)，容器具有排放部(44)，其可排放通过加热而在该容器内气化或升华了的蒸镀材料，在由于伴随由加热装置进行的蒸镀材料的加热而被加热，所以对被处理基板辐射热线的容器部分(41a，44a，44b)上，设置比该容器的母材辐射率低的低辐射率层(Le)。
基本信息
专利标题 ：
真空蒸镀装置用的蒸镀源
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114381693A
申请号 ：
CN202110967499.3
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-08-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
北泽僚也斋藤一也
申请人 ：
株式会社爱发科
申请人地址 ：
日本神奈川县茅崎市荻园2500番地
代理机构 ：
北京英特普罗知识产权代理有限公司
代理人 ：
齐永红
优先权 ：
CN202110967499.3
主分类号 ：
C23C14/24
IPC分类号 ：
C23C14/24 C23C14/04
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
法律状态
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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