掩模套件
公开
摘要
掩模套件包括掩模框架，所述掩模框架包括单元开孔和沿着单元开孔的外周限定的外框架；和单元掩模，所述单元掩模设置在掩模框架上并且包括聚合物材料。单元掩模包括掩模部分，所述掩模部分包括沉积部分，所述沉积部分对应于掩模框架的单元开孔设置并且包括掩模图案，和非沉积部分，所述非沉积部分从沉积部分延伸；和粘合部分，所述粘合部分与掩模框架的外框架重叠并且从掩模部分延伸。非沉积部分包括非图案部分和图案部分，所述图案部分具有比非图案部分的厚度小的厚度。
基本信息
专利标题 ：
掩模套件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496780A
申请号 ：
CN202111246008.2
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-10-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李德重
申请人 ：
三星显示有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京德琦知识产权代理有限公司
代理人 ：
潘怀仁
优先权 ：
CN202111246008.2
主分类号 ：
H01L21/32
IPC分类号 ：
H01L21/32 H01L27/32 C23C14/04
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/32
应用掩膜的
法律状态
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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