一种磁电阻传感器芯片
授权
摘要

一种磁电阻传感器芯片,包括:第一、第二磁感应单元,感应单元均包括连接成惠斯通电桥的磁电阻单元,其中两个磁电阻单元被软磁材料屏蔽;罩在第二磁感应单元之外的导体罩,导体罩和第二磁感应单元由绝缘材料隔开;与第二磁感应单元的输出端相连的反馈调节电路;与反馈调节电路相连的导体,导体上的电流方向和磁电阻单元的磁敏感方向相垂直,第二磁感应单元与反馈调节电路及导体组成闭环零磁通电路;第一、第二磁感应单元位于导体的同一侧且与导体间的距离相同,能够感应外磁场的磁电阻单元在导体所在平面上的投影位于导体在其所在平面上的投影内。本发明的磁电阻传感器芯片在高频磁场的应用中具有对来自低频磁场的抗干扰能力,拥有更精准的输出。

基本信息
专利标题 :
一种磁电阻传感器芯片
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN113702880A
申请号 :
CN202111258971.2
公开(公告)日 :
2021-11-26
申请日 :
2021-10-28
授权号 :
CN113702880B
授权日 :
2022-04-01
发明人 :
刘明关蒙萌胡忠强朱红艳朱家训
申请人 :
珠海多创科技有限公司
申请人地址 :
广东省珠海市高新区唐家湾镇科技七路1号4栋5-B单元
代理机构 :
广东朗乾律师事务所
代理人 :
杨焕军
优先权 :
CN202111258971.2
主分类号 :
G01R33/09
IPC分类号 :
G01R33/09  H01L43/08  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R33/00
测量磁变量的装置或仪器
G01R33/02
测量磁场或磁通量的方向或大小
G01R33/06
采用电磁器件
G01R33/09
磁电阻器件
法律状态
2022-04-01 :
授权
2021-12-14 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 33/09
申请日 : 20211028
2021-11-26 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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