一种中心导体组件的制造方法、环行器
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摘要

本发明公开了一种中心导体组件的制造方法、环行器,属于微波元器件技术领域。中心导体组件的制造方法包括:将铁氧体安装在绝缘限位结构内;通过内导体结构将绝缘限位结构包裹,内导体结构包括内导体本体和三条电感线,三条电感线周向等距间隔设置在内导体本体的周侧,将三条电感线依次绕过绝缘限位结构的上侧交叉编织将绝缘限位结构包裹,铁氧体限定在内导体本体和三条电感线之间;在将三条电感线依次绕过绝缘限位结构的上侧交叉编织的过程中通过片状绝缘结构将相邻的电感线绝缘隔离;对交叉编织完成的三条电感线的连接末端进行限位,获得中心导体组件。本发明的中心导体组件的制造方法能够提高铁氧体与内导体本体的贴紧程度。

基本信息
专利标题 :
一种中心导体组件的制造方法、环行器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN113991270A
申请号 :
CN202111264547.9
公开(公告)日 :
2022-01-28
申请日 :
2021-10-28
授权号 :
CN113991270B
授权日 :
2022-05-03
发明人 :
徐晶晶
申请人 :
北京航天微电科技有限公司
申请人地址 :
北京市海淀区永定路50号
代理机构 :
北京轻创知识产权代理有限公司
代理人 :
王澎
优先权 :
CN202111264547.9
主分类号 :
H01P1/38
IPC分类号 :
H01P1/38  H01P11/00  
法律状态
2022-05-03 :
授权
2022-02-18 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01P 1/38
申请日 : 20211028
2022-01-28 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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