声表面波增强型深紫外探测器及其制备方法
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摘要

一种声表面波增强型深紫外探测器及其制备方法,所述声表面波增强型深紫外探测器依次包括铌酸锂衬底、半导体薄膜及设置于所述半导体薄膜表面的两对欧姆电极;所述两对欧姆电极其一用于接收并传播声表面波并使其调制薄膜与衬底的能带结构,以提高光生载流子的数量及传输效率,另一则用于收集光生载流子并转化为电信号输出,并接通外接参数分析仪评估探测器对于光辐射的响应度、探测率等一系列性能指标。本发明的声表面波增强型深紫外探测器能够通过声表面波的外部刺激显著增强探测器的响应度等一系列性能指标。

基本信息
专利标题 :
声表面波增强型深紫外探测器及其制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN113725314A
申请号 :
CN202111283484.1
公开(公告)日 :
2021-11-30
申请日 :
2021-11-01
授权号 :
CN113725314B
授权日 :
2022-04-01
发明人 :
吴真平张清怡夏翰驰
申请人 :
北京邮电大学
申请人地址 :
北京市海淀区西土城路10号
代理机构 :
北京清诚知识产权代理有限公司
代理人 :
喻颖
优先权 :
CN202111283484.1
主分类号 :
H01L31/09
IPC分类号 :
H01L31/09  H01L31/0224  H01L31/18  
法律状态
2022-04-01 :
授权
2021-12-17 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/09
申请日 : 20211101
2021-11-30 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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