用于三维交叉点存储器的柱状选择晶体管
公开
摘要
一种存储器器件结构包括：垂直晶体管，具有在源极和漏极之间的沟道；栅极电极，邻近于沟道，其中栅极电极在与沟道的纵轴正交的第一方向上。栅极电介质层在栅极电极和沟道之间。第一互连的第一端子与源极或漏极耦合，其中第一互连与纵轴共线。存储器器件结构还包括一对存储器单元，其中存储器单元中的各个存储器单元包括选择器和存储器元件，其中存储器单元中的各个存储器单元的第一端子耦合到第一互连的相应第二端子和第三端子。存储器单元中的各个存储器单元的第二端子耦合到一对第二互连中的各个第二互连。
基本信息
专利标题 ：
用于三维交叉点存储器的柱状选择晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628435A
申请号 ：
CN202111297048.X
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2021-11-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
P·马吉D·考M·海因曼
申请人 ：
英特尔公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
邬少俊
优先权 ：
CN202111297048.X
主分类号 ：
H01L27/24
IPC分类号 ：
H01L27/24
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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