气体供给结构体及具备它的等离子体沉积装置
公开
摘要
本发明公开气体供给结构体及具备它的等离子体沉积装置。气体供给结构体包括：主体，在内部具备沿彼此不同的方向延伸的分支流动空间，并且包括设置在主体的背面的中央部的单个中央孔及设置在背面的周边部且与分支流动空间分别连通的多个周边孔；第一供给口，以相对于主体的上表面垂直延伸的方式结合于主体的上表面，并且具备与分支流动空间连通的第一流动空间；以及第二供给口，以与中央孔连接的方式设置在第一供给口的内部，并且具备与第一流动空间连通且与分支流动空间分离的第二流动空间。本发明只通过中央孔供给工艺气体且通过中央孔及周边孔供给清洗气体，从而能够同时提高沉积膜的厚度均匀度和工艺腔室内部的清洗均匀度。
基本信息
专利标题 ：
气体供给结构体及具备它的等离子体沉积装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114540796A
申请号 ：
CN202111327910.7
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2021-11-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金仁教李殷守郑石源朱儇佑
申请人 ：
三星显示有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京德琦知识产权代理有限公司
代理人 ：
崔今花
优先权 ：
CN202111327910.7
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455 C23C16/50
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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