一种可控制形状的小线宽圆或椭圆形器件及其制备方法
实质审查的生效
摘要

本发明公布了一种可控制形状的小线宽圆或椭圆形器件的制备方法,包括:提供衬底材料层,所述衬底材料层表面有一层待刻蚀目标层;对待刻蚀目标层进行第一次刻蚀处理,光刻形成第一辅助图形层,并沉积第一阻挡层;然后去除该第一阻挡层,并腐蚀掉第一辅助图形层,形成第一侧墙层;用该第一侧墙层作为硬掩模刻蚀,形成第一目标层,去除第一侧墙层;对上述第一目标层进行相同的第二次刻蚀处理后,形成第二侧墙层;用该第二侧墙层作为硬掩模刻蚀,形成第二目标层,去除第二侧墙层;刻蚀第二目标层多余棱角,形成小线宽圆或椭圆形器件;第二侧墙层与第一目标层相互垂直形成90°夹角。本发明制备的小尺寸器件均匀性好、完整性高,且形状可控。

基本信息
专利标题 :
一种可控制形状的小线宽圆或椭圆形器件及其制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114420546A
申请号 :
CN202111452105.7
公开(公告)日 :
2022-04-29
申请日 :
2021-12-01
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
满博文刘宏熹赵庆松
申请人 :
致真存储(北京)科技有限公司
申请人地址 :
北京市海淀区知春路23号5层504A、504B室
代理机构 :
北京墨丘知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
唐忠仙
优先权 :
CN202111452105.7
主分类号 :
H01L21/027
IPC分类号 :
H01L21/027  H01L21/033  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/027
未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
法律状态
2022-05-20 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/027
申请日 : 20211201
2022-04-29 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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