一种阶梯负电容层鳍式场效应晶体管及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本申请涉及一种阶梯负电容层鳍式场效应晶体管及其制备方法。该晶体管包括：半导体衬底，覆盖于半导体衬底上表面的埋氧层，位于埋氧层上方的鳍式有源区，鳍式有源区从埋氧层表面的第一方向上鳍式凸起，鳍式有源区的长度与半导体衬底的长度相同，鳍式有源区的宽度小于半导体衬底宽度，鳍式有源区包括源区、沟道区和漏区，鳍式有源区的源区和漏区之间的沟道区的上表面和第一方向上的左右两个侧表面覆盖了栅氧化层，栅氧化层上覆盖三向负电容层，三向负电容层的厚度顺着第一方向阶梯性增厚或变薄，三向负电容层上覆盖了金属层。提高的饱和区电流以及降低的亚阈值摆幅，从而降低晶体管的功耗并提升晶体管性能。
基本信息
专利标题 ：
一种阶梯负电容层鳍式场效应晶体管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284354A
申请号 ：
CN202111485216.8
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
姚佳飞顾鸣远郭宇锋李曼张茂林
申请人 ：
南京邮电大学;南京邮电大学南通研究院有限公司
申请人地址 ：
江苏省南通市港闸区新康路33号9、10幢
代理机构 ：
南京经纬专利商标代理有限公司
代理人 ：
罗运红
优先权 ：
CN202111485216.8
主分类号 ：
H01L29/423
IPC分类号 ：
H01L29/423 H01L29/78 H01L21/336 H01L21/28
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/423
申请日 : 20211207
申请日 : 20211207
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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