一种基于反铁电层的负电容隧穿场效应晶体管
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种基于反铁电层的负电容隧穿场效应晶体管，属于CMOS超大集成电路(ULSI)中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。本发明在TFET控制栅中加入反铁电层带来负电容效应，当满足动态极化匹配条件时栅压放大系数大于1，亚阈值斜率可以得到改善。负电容效应中栅压放大系数先增后减，反铁电的极化‑电压关系使负电容效应可以开始于其下面串联的TFET的亚阈区，从而负电容效应中栅压放大系数上升的一段延缓了TFET亚阈值斜率退化的问题，降低平均亚阈值斜率，在低电压操作时提高了开态电流，展示出巨大的超低功耗应用前景。
基本信息
专利标题 ：
一种基于反铁电层的负电容隧穿场效应晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551598A
申请号 ：
CN202210121036.X
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-02-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄芊芊徐劭迪苏畅王凯枫黄如
申请人 ：
北京大学
申请人地址 ：
北京市海淀区颐和园路5号
代理机构 ：
北京万象新悦知识产权代理有限公司
代理人 ：
贾晓玲
优先权 ：
CN202210121036.X
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/51
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20220209
申请日 : 20220209
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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