鳍式场效应晶体管的截断工艺方法
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摘要
本发明公开了一种鳍式场效应晶体管的截断工艺方法，包括：步骤一、提供半导体衬底，形成第一光刻胶图形以定义出鳍式场效应晶体管的截断区域；步骤二、对半导体衬底表面的第二非晶半导体层进行刻蚀形成第二非晶半导体图形；步骤三、形成第一介质层且由第一介质层之间的间距并形成第一凹槽；步骤四、形成第二介质层将第一凹槽完全填充；步骤五、采用以第二非晶半导体层为停止层的化学机械研磨工艺进行平坦化形成第一介质层组成的侧墙和第二介质层条形；步骤六、自对准去除各侧墙；步骤七、采用湿法工艺将非晶半导体条形去除；步骤八、以各第二介质层条形为掩膜进行刻蚀形成鳍体并同时实现晶体管截断。本发明能增加工艺窗口，降低工艺成本。
基本信息
专利标题 ：
鳍式场效应晶体管的截断工艺方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110783272A
申请号 ：
CN201910986166.8
公开（公告）日 ：
2020-02-11
申请日 ：
2019-10-17
授权号 ：
CN110783272B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
邱岩栈陈颖儒刘立尧胡展源
申请人 ：
上海华力集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区康桥东路298号1幢1060室
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
郭四华
优先权 ：
CN201910986166.8
主分类号 ：
H01L21/8234
IPC分类号 ：
H01L21/8234
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2020-03-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8234
申请日 : 20191017
申请日 : 20191017
2020-02-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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