本发明公开了一种利用宽光栅纳米压印模板制作变周期窄光栅的方法，先将宽光栅压印模板图案转移到软模板上，在衬底上涂覆一层纳米压印胶，将宽光栅压印软模板压入压印胶层，经过紫外光固化定型后剥离压印软模板，压印软模板上的宽光栅图案转移到衬底上的压印胶层，然后利用化学气相沉积方法在衬底的压印胶层上依次沉积一薄层氧化硅和压印胶层；最后利用三次等离子体刻蚀技术，利用衬底材料、压印胶和氧化硅刻蚀选择比不同，将压印胶和氧化硅互相作为掩膜，控制相应刻蚀时间，从而达到想要的图形深度。通过控制压印胶层图形侧面沉积的氧化硅厚度来控制光栅图案宽度，从而获得高深宽比的窄光栅图案。