一种主副梁结构的硅片承载装置
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种主副梁结构的硅片承载装置，包括竖梁、横梁组成的外框，横梁包括位于外框两侧的边横梁、位于外框中间部位的中间横梁；竖梁包括竖梁导轨条及与竖梁导轨条固定连接的竖梁卡槽，竖梁卡槽通过法兰与横梁连接；所述边横梁由主横梁和副横梁组成；拉筋通过副横梁上面的加工孔、中间横梁上面的加工孔由螺母固定在副横梁上；托盘卡装在竖梁、边横梁及中间横梁上。本发明提高了硅片承载装置的平面度，改善了镀膜效果。
基本信息
专利标题 ：
一种主副梁结构的硅片承载装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114318277A
申请号 ：
CN202111594364.3
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
高晗吴明贵刘小明张清清龚汉亮
申请人 ：
南通玖方新材料科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省南通市高新区碧华路1199号东久（南通）智造园A5
代理机构 ：
南通市永通专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
葛雷
优先权 ：
CN202111594364.3
主分类号 ：
C23C14/50
IPC分类号 ：
C23C14/50 C23C14/34 C23C14/08
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/50
基座
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/50
申请日 : 20211224
申请日 : 20211224
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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