一种产生高密度等离子体的内置型等离子源及其等离子体辅助沉...
公开
摘要
本发明涉及等离子制备技术领域，尤其为一种产生高密度等离子体的内置型等离子源及其等离子体辅助沉积方法，所述控制电源的输出端信号连接有运输设备，所述运输设备的出口固定连接有延长料道，所述长料道的末端固定连接有缓冲区，所述沉积设备的出口固定连接有反应腔室，所述反应腔室的内部固定连接有测温模块，所述反应腔室的输出端固定连接有相序保护单元，所述反应腔室的端固定连接有熔断保护模块。本发明通过测量模块对原料层进行甄别区分处理，运输设备将原料运输到沉积设备，再通过沉积设备将原料运送到反应腔室进行制备，从而达到了在控制温度恒定以提高所述金属层接触电阻的均匀性的前提下，实现了生产效率的提高的效果。
基本信息
专利标题 ：
一种产生高密度等离子体的内置型等离子源及其等离子体辅助沉积方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114517293A
申请号 ：
CN202111617339.2
公开（公告）日 ：
2022-05-20
申请日 ：
2021-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王猛王大勇胡世雄何心王彦程王柏竣袁烨
申请人 ：
湖南哈工聚能科技有限公司
申请人地址 ：
湖南省岳阳市中国（湖南）自由贸易试验区岳阳片区哈工大机器人（岳阳）军民融合创新中心
代理机构 ：
长沙智德知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
卢钟廷
优先权 ：
CN202111617339.2
主分类号 ：
C23C16/50
IPC分类号 ：
C23C16/50 C23C16/52
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/50
借助放电的
法律状态
2022-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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