3D存储器件的测试样品制备方法
实质审查的生效
摘要
本申请公开了一种3D存储器件的测试样品制备方法，包括：在所述3D存储器件中确定取样区域；按照所述取样区域从所述3D存储器件切割出狭长的薄片；将所述薄片转移并固定至基板上；以及将所述薄片减薄至预定厚度以获得测试样品，所述薄片转移的过程中，其顶端与聚焦离子束系统的执行器粘接，与所述顶面相对的底部接口与基板接触。该测试样品制备方法可以获得用于电子显微镜观察的狭长形状的测试样品，通过确定狭长结构的失效位置以及估计失效原因来提高3D存储器件的良率。
基本信息
专利标题 ：
3D存储器件的测试样品制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114486422A
申请号 ：
CN202111622560.7
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
潘绪文吴继君汤光敏
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京成创同维知识产权代理有限公司
代理人 ：
蔡纯
优先权 ：
CN202111622560.7
主分类号 ：
G01N1/28
IPC分类号 ：
G01N1/28 G01N21/84
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N1/00
取样；制备测试用的样品
G01N1/28
测试用样品的制备
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01N 1/28
申请日 : 20211228
申请日 : 20211228
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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