进气管道、化学气相沉积炉及向其通入前驱体的方法
实质审查的生效
摘要
一种进气管道、化学气相沉积炉及向其通入前驱体的方法，属于半导体领域。用于向化学气相沉积炉输送前驱体的进气管道包括：中空的第一管体，具有沿延伸方向依次分布的加热段和制冷段；制冷机构，与制冷段匹配连接；加热机构，与加热段匹配连接；以及中空的第二管体，与第一管体的制冷段沿轴向导热连接且管腔连通形成流体通路，并且第二管体的温度至少受控于制冷机构。该进气管能够被用于对向化学气相沉积炉中输入的前驱体进行控温，避免前驱体在沉积炉的入口处发生分解，且防止随后因沉积而堵塞入口的问题发生。
基本信息
专利标题 ：
进气管道、化学气相沉积炉及向其通入前驱体的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114277359A
申请号 ：
CN202111627275.4
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
不公告发明人
申请人 ：
新美光（苏州）半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市中国(江苏)自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区苏虹东路188号方正科技园北区C幢103
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
吕露
优先权 ：
CN202111627275.4
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455 C23C16/32
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/455
申请日 : 20211228
申请日 : 20211228
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
