一种化学气相沉积方法
公开
摘要
本发明提供一种化学气相沉积方法，涉及半导体技术领域，可解决不同处理室的等离子体效应对硬掩模层的影响不同的问题。一种基板的制造方法，包括：将衬底放入处理室中，并在所述衬底上形成硬掩模层；向所述处理室中通入形成等离子体所需的气体；打开所述处理室的电源，形成预等离子体；向所述处理室继续通入前驱体以及形成所述等离子所需的气体，进行化学气相沉积工艺，在所述硬掩模层上形成薄膜。
基本信息
专利标题 ：
一种化学气相沉积方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613673A
申请号 ：
CN202011414503.5
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2020-12-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
卞成洙高建峰刘卫兵白国斌
申请人 ：
中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京知迪知识产权代理有限公司
代理人 ：
王胜利
优先权 ：
CN202011414503.5
主分类号 ：
H01L21/316
IPC分类号 ：
H01L21/316 H01L21/318
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/314
无机层
H01L21/316
由氧化物或玻璃状氧化物或以氧化物为基础的玻璃组成的无机层
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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