一种原位监测物理气相沉积法生长单晶微观缺陷的方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种原位监测物理气相沉积法生长单晶微观缺陷的方法，使用X射线衍射观测PVT生长炉，采用面探测器收集单晶散射的高能XRD信号，获得的XRD谱用于分析单晶的结晶度、应力与位错密度。本发明采用高能X射线原位监测PVT法生长单晶过程中的晶体缺陷产生过程和晶体质量分析；对PVT法生长单晶过程并无影响。
基本信息
专利标题 ：
一种原位监测物理气相沉积法生长单晶微观缺陷的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114324428A
申请号 ：
CN202111643917.X
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王蓉张俊然皮孝东杨德仁
申请人 ：
浙江大学杭州国际科创中心
申请人地址 ：
浙江省杭州市萧山区建设3路733号
代理机构 ：
杭州裕阳联合专利代理有限公司
代理人 ：
高明翠
优先权 ：
CN202111643917.X
主分类号 ：
G01N23/207
IPC分类号 ：
G01N23/207 C30B29/36 C30B23/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N23/00
利用波或粒子辐射来测试或分析材料，例如未包括在G01N3/00-G01N17/00、G01N 21/00 或G01N 22/00中的X射线或中子
G01N23/20
利用材料辐射的衍射，例如，用于测试晶体结构；利用材料辐射的散射，例如测试非晶材料；利用材料辐射的反射
G01N23/207
衍射，例如，利用处于中心位置的探针以及安放在周围的一个或多个可移动的检测器
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01N 23/207
申请日 : 20211229
申请日 : 20211229
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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