一种双向阻断功率MOS器件及其制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种双向阻断功率MOS器件及其制造方法。通过离子注入或多次外延的工艺方式，从而实现正反向均可耐压的功率MOS器件。相比于传统BMS中采用对管或者双管串联的方式，本发明所提出的器件具有以下优点：第一，本发明所提出的器件相较于传统实现方式所占据的面积更小，因此可以实现更高的集成度；第二，本发明所提出的器件仅需单管即可实现双向阻断的功能，相较于传统的双管串联的实现方式，可以获得较低的比导通电阻，减小器件的功率损耗。
基本信息
专利标题 ：
一种双向阻断功率MOS器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388613A
申请号 ：
CN202111654267.9
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
乔明刘文良方冬陈勇郭银张波
申请人 ：
电子科技大学
申请人地址 ：
四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号
代理机构 ：
成都点睛专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
敖欢
优先权 ：
CN202111654267.9
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20211230
申请日 : 20211230
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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