系统级芯片测试前的预处理方法和预处理结构
实质审查的生效
摘要
本申请实施例提供了一种系统级芯片测试前的预处理方法和预处理结构，所述系统级芯片测试前的预处理方法包括：在系统级芯片外包裹金属层；将包裹有金属层的所述系统级芯片镶嵌到模具内；对所述系统级芯片中基板的背面一侧进行研磨；将所述系统级芯片从所述模具中取出，对所述系统级芯片进行电性测试。所述金属层的设置可以便于所述系统级芯片从所述模具中取出，保证了所述系统级芯片的完整性，提高了所述系统级芯片的测试效率。
基本信息
专利标题 ：
系统级芯片测试前的预处理方法和预处理结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497016A
申请号 ：
CN202111671833.7
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张志美王宗旗
申请人 ：
青岛歌尔微电子研究院有限公司
申请人地址 ：
山东省青岛市崂山区松岭路396号106室
代理机构 ：
北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
王春锋
优先权 ：
CN202111671833.7
主分类号 ：
H01L25/16
IPC分类号 ：
H01L25/16 H01L21/66 H01L23/31 H01L23/544
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/16
包含在H01L27/00至H01L51/00各组中两个或多个不同大组内的类型的器件，例如构成混合电路的
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 25/16
申请日 : 20211231
申请日 : 20211231
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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