半导体先进先出加热机构
授权
摘要
本实用新型公开了半导体先进先出加热机构，包括加热罐，所述加热罐的底部两端均通过螺栓安装有固定板，所述固定板的底部一端通过螺栓安装有支撑柱，所述支撑柱的底部焊接有基板，所述基板的顶部中间安装有储料箱，所述加热罐的顶部一端安装有进料管，所述加热罐的底部一端安装有出料管，所述加热罐的内部由上至下依次安装有输料斜板，所述加热罐的内壁两侧均对称通过固定架安装有吸气头，所述加热罐的外壁两侧中间均安装有冷却箱，所述冷却箱的顶部一端安装有抽风机，且抽风机一端通过导气管与吸气头连接，抽风机另一端伸入到冷却箱内，所述冷却箱内部两端均安装有过滤网，本实用新型，能对产生的碳化物和有害气体进行处理，保护了加工环境。
基本信息
专利标题 ：
半导体先进先出加热机构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202120468826.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-03-04
授权号 ：
CN216354074U
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
杨浩
申请人 ：
江阴启创自动化设备有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市江阴市云亭街道工业园区澄杨路568号
代理机构 ：
江苏弘扬知识产权代理有限公司
代理人 ：
张晓媛
优先权 ：
CN202120468826.6
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 B01D46/12 B01D46/42 B01D53/04
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-04-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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