本公开的实施例涉及半导体集成器件以及电子系统。一种半导体集成器件包括：至少一个MOS晶体管，被集成在半导体材料的管芯上，其包括：多个单元，每个单元包括：源极区域；导电材料的栅极元件；电绝缘材料的栅极绝缘层，将栅极元件与管芯的半导体材料绝缘；源极接触件，与源极区域耦合；以及栅极接触件，与栅极元件耦合；多个单元中的一个或多个选择的单元包括：禁用结构，被插置在栅极元件的耦合的栅极部分与栅极元件的解耦的栅极部分之间，栅极元件的耦合的栅极部分与栅极接触件耦合，栅极元件的解耦的栅极部分与栅极接触件解耦。利用本公开有利地允许根据MOS晶体管的当前的操作条件以动态方式选择性地禁用所选择的单元。