一种新型单晶炉用导气筒
授权
摘要
本实用新型提供一种新型单晶炉用导气筒，包括同轴设置的两个筒体，内侧所述筒体设有流通通道；在两个所述筒体之间至少设有两层隔离层；且在每个所述隔离层中设有不同高度段的不同保温件，以使流经所述通道的气流温度沿所述通道的流通方向呈阶梯下降。本实用新型导气筒，通过优化其结构，可提高导气筒的保温效果，缩小其温差变化幅度，使排气通道保持畅通，提高通气效果，解决了氧化物聚集的技术问题，可有效提高成晶率，保证单晶硅晶体的品质。这一结构的导气筒不易变形，保温效果好，不会出现骤冷骤热的现象，不仅能保证排气通道的形状不变，而且还可延长其使用寿命，降低炉台运行成本。
基本信息
专利标题 ：
一种新型单晶炉用导气筒
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122379288.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-09-29
授权号 ：
CN216192866U
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
韩凯郭谦张文霞王林高润飞
申请人 ：
内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请人地址 ：
内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区阿木尔南街19号
代理机构 ：
天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
栾志超
优先权 ：
CN202122379288.6
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2022-04-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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