硅片夹具结构
授权
摘要
本实用新型涉及一种硅片夹具结构，硅片夹具呈环形，包括沿轴向排布的第一环体、第二环体，第一环体的外圈和第二环体的外圈之间设有第一台阶，以卡入镀膜机内伞架预开孔中，第二环体的内圈设有向内凸起的凸起部，凸起部和第一环体的内圈之间形成第二台阶，且第二台阶的台阶面外边缘设有内凹的支撑面，第二环体的内圈设有与支撑面平齐的第三台阶，第三台阶和支撑面供硅片放置。第三台阶和支撑面作为承载、固定硅片的结构，硅片放置到第三台阶和支撑面后，可以防止硅片平动、转动，以及密封的作用，硅片夹具常与真空镀膜设备的伞架或行星盘配套使用。
基本信息
专利标题 ：
硅片夹具结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122390394.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-09-29
授权号 ：
CN216303978U
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
龚国华路卫华
申请人 ：
驻马店市赛琅格斯光电有限公司
申请人地址 ：
河南省驻马店市驿城区中原大道与东祥路交叉口东150米路北
代理机构 ：
深圳市瑞方达知识产权事务所(普通合伙)
代理人 ：
纪媛媛
优先权 ：
CN202122390394.4
主分类号 ：
C23C14/50
IPC分类号 ：
C23C14/50 H01L21/687
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/50
基座
法律状态
2022-04-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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