一种低电阻型半导体结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种低电阻型半导体结构，包括半导体结构本体，所述半导体结构本体包括P型基板和连接在P型基板底部的漂移层，所述漂移层底部连接有N型衬底；所述N型衬底底部设有用于通过干湿蚀刻成的凹槽，用于电流进入半导体结构本体；本实用新型根据现有需求进行设计，在N型衬底上利用干湿蚀刻出凹槽，从而能让半导体结构的总电阻减小，增大电流，提高了半导体结构的交流性能，降低半导体结构的接触电阻，有利于降低阈值，提高效率和延长寿命。
基本信息
专利标题 ：
一种低电阻型半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122663319.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-03
授权号 ：
CN216413090U
授权日 ：
2022-04-29
发明人 ：
尹其言张旭文
申请人 ：
湖南钛芯电子科技有限公司
申请人地址 ：
湖南省长沙市开福区东风路街道芙蓉中路1段303号富兴世界金融中心T3栋写字楼第22层017、018-01、027-028号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202122663319.0
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06
法律状态
2022-04-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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