具有装置内高电阻率多晶半导体元件的半导体结构及方法
公开
摘要
本申请涉及具有装置内高电阻率多晶半导体元件的半导体结构及方法，揭示一种结构，包括半导体层，具有装置区，以及位于该装置区内的单晶部分以及延伸穿过该单晶部分的多晶部分。该结构包括主动装置，包括装置组件，其位于该装置区中且包括多晶部分。例如，该装置可为场效应晶体管(FET)(例如，简单FET或用于低噪声放大器或RF开关的多指FET)，具有至少一个源极/漏极区域，其位于该装置区中且包括延伸穿过该单晶部分的至少一个多晶部分。该些实施例可依据结构的类型(例如，块体或SOI)、依据其中的装置的类型、且还依据该多晶部分的数目、尺寸、形状、位置、取向等变化。本文中还揭示一种形成该结构的方法。
基本信息
专利标题 ：
具有装置内高电阻率多晶半导体元件的半导体结构及方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613851A
申请号 ：
CN202111173063.3
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2021-10-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
S·P·阿杜苏米尔J·J·埃利斯·莫纳汉S·M·尚克Y·T·恩古M·J·齐拉克
申请人 ：
格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请人地址 ：
美国纽约州
代理机构 ：
北京戈程知识产权代理有限公司
代理人 ：
程伟
优先权 ：
CN202111173063.3
主分类号 ：
H01L29/12
IPC分类号 ：
H01L29/12 H01L29/08 H01L29/06 H01L21/336
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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