非易失性存储器
授权
摘要
本公开提供一种非易失性存储器，涉及存储器技术领域。该存储器包括：存储单元阵列、第一锁存单元、第二锁存单元、第一缓存单元、第二缓存单元、错误校正码(ECC)单元和输出控制单元，其中，ECC单元用于分别通过第一锁存单元和第二锁存单元依次获取第一缓存单元和第二缓存单元中缓存的数据并进行ECC处理，纠正第一缓存单元和第二缓存单元中缓存的数据的错误位；输出控制单元用于在ECC单元对第二缓存单元中缓存的数据进行ECC处理时，响应于数据读取指令，通过第一锁存单元读取第一缓存单元中缓存的经过ECC处理的数据，缩减了读取其中数据的时间。
基本信息
专利标题 ：
非易失性存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122666336.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-02
授权号 ：
CN216212352U
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
刘大平潘荣华
申请人 ：
西安格易安创集成电路有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市高新区天谷七路88号新加坡腾飞科汇城B幢东楼23层2301
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
孙宝海
优先权 ：
CN202122666336.X
主分类号 ：
G11C29/42
IPC分类号 ：
G11C29/42 G11C16/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C29/00
存储器正确运行的校验；备用或离线操作期间测试存储器
G11C29/04
损坏存储元件的检测或定位
G11C29/08
功能测试，例如，在刷新、通电自检或分布型测试期间的测试
G11C29/12
用于测试的内置装置，例如，内置的自检装置
G11C29/38
响应验证装置
G11C29/42
用纠错码或奇偶校验检查
法律状态
2022-04-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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