一种工件蚀刻装置
授权
摘要
本实用新型提供了一种工件蚀刻装置，包括第一喷淋箱、工件载台和缓冲导流平台，工件载台用于承载待蚀刻的工件，第一喷淋箱固定连接在底板的一端，包括第一箱本体和第一喷淋部，第一喷淋部设于第一箱本体的一侧外壁上，包括开设有第一溢流口的第一导流台，第一导流台的出口具有朝下倾斜的第一斜面，第一溢流口位于第一斜面的上方，工件载台和缓冲导流平台均设于底板上，缓冲导流平台具有位于第一斜面下方的缓冲平面部和朝下倾斜的第二斜面。本实用新型的工件蚀刻装置可以在工件化学蚀刻过程中对工件表面实现均匀浸润，且不损伤蚀刻出来的微结构，角度能够灵活调节，便于工件的取放，保证蚀刻效果。
基本信息
专利标题 ：
一种工件蚀刻装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122918159.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-25
授权号 ：
CN216698297U
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
王诗成蔡俊德
申请人 ：
普聚智能系统（苏州）有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市吴中区越溪街道越湖路1343号1幢202、204室
代理机构 ：
苏州隆恒知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
计静静
优先权 ：
CN202122918159.X
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/306
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-06-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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