一种耐高温半导体碳化硅电子元器件
授权
摘要
本实用新型公开了一种耐高温半导体碳化硅电子元器件，包括限位安装底板和电子元器件主体，所述限位安装底板顶端中部固定安装有电子元器件主体，所述电子元器件主体顶端插设在防高温外壳底端中部，所述防高温外壳底端两侧的外壁皆固定安装有限位底板，所述限位底板内侧底端通过滚动机构套设在限位安装底板的外壁上，所述防高温外壳和限位安装底板之间通过拆装机构进行安装。本实用新型可以对电子元器件主体在高温工作环境中的使用寿命得到保障，提高了装置在使用过程中的工作寿命，保障了装置在使用过程中的工作效率，同时可以相对较为便捷的提高限位安装底板和防高温外壳之间的安装效率，保障了装置在使用过程中的实用性。
基本信息
专利标题 ：
一种耐高温半导体碳化硅电子元器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122950093.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-29
授权号 ：
CN216250691U
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
叶明华
申请人 ：
江苏环能硅碳陶瓷有限公司
申请人地址 ：
江苏省泰州市兴化市戴南镇赵万工业集中区康泰北路西侧
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202122950093.2
主分类号 ：
H01L23/043
IPC分类号 ：
H01L23/043 H01L23/13 H01L23/32
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/02
容器；封接
H01L23/04
按外形区分的
H01L23/043
中空容器，并有用于半导体本体的引线以及作为安装架的导电基座
法律状态
2022-04-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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