一种用于超低温晶圆注入平台的传送模块
授权
摘要
本实用新型提供一种用于超低温晶圆注入平台的传送模块，其适用于超低温晶圆注入平台，传送模块包括前端晶圆传送模块和真空传送模块，前端晶圆传送模块用于将待处理的晶圆传送到下一级加工阶段或离子注入平台或将离子注入完成之后的晶圆从离子注入平台传送到晶圆收纳台；真空传送模块用于在真空环境下将待处理的晶圆传送到真空冷却模块，或者将来自于真空注入模块的处理后的晶圆传送到真空升温模块。本实用新型实现了晶圆的快速传送；提升了晶圆的装载、转送效率。
基本信息
专利标题 ：
一种用于超低温晶圆注入平台的传送模块
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123279786.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-24
授权号 ：
CN216528750U
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
高国珺贾礼宾卢合强夏世伟沈斌张劲李强强翟军明郑浩文侯爽张彦彬王振辉关天琪孙世豪查泽奇
申请人 ：
北京凯世通半导体有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区北京经济技术开发区地盛西路1号数码庄园A2座
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202123279786.X
主分类号 ：
H01L21/265
IPC分类号 ：
H01L21/265 H01L21/67 H01L21/683 H01L21/677
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/26
用波或粒子辐射轰击的
H01L21/263
带有高能辐射的
H01L21/265
产生离子注入的
法律状态
2022-05-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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