本申请公开了一种屏蔽栅MOSFET器件及其制作方法，属于半导体器件及制造领域。该方法包括：提供衬底并在表面形成硬质掩膜层，对衬底和硬质掩膜层进行刻蚀形成第一深沟槽，并在硬质掩膜层底部和第一深沟槽内淀积阻挡层，刻蚀阻挡层至硬质掩膜层表面，其中，第一深沟槽底部刻蚀形成有第二深沟槽，刻蚀该第二深沟槽并淀积形成屏蔽栅厚介质层，去除阻挡层和硬质掩膜层，并在第一深沟槽内壁形成栅介质层，进一步在各个沟槽内以及衬底顶部淀积多晶硅，并一步刻蚀同时形成有栅多晶硅和屏蔽栅多晶硅，最后注入阱以及填充背面和正面金属；本工艺可以在不增加光刻板的情况下减少多晶硅淀积次数，此外新结构可以减小两层多晶硅间交叠电容，降低输入电容。