整合FRD的IGBT器件及其制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种整合FRD的IGBT器件的制造方法，其包括在衬底的正面形成保护环；在衬底的正面设置氧化层；在部分的衬底的正面设置多个栅极；在栅极之间设置P型阱层；在部分的P型阱层的正面设置N型发射层；在N型发射层、栅极和氧化层的正面设置介质层；注入N导电类型的离子和P导电类型的离子；进行重金属掺杂工艺；在介质层的正面设置金属发射极，和在第一N型层的正面设置FRD阴极。借此，IGBT器件无需外加FRD器件，在封装时能减少寄生参数，提高芯片可靠性，并能节省封装面积使得封装更加灵活。并且，通过引入重金属掺杂，可以降低载流子寿命，提高载流子的复合速度，从而提高开关速度。
基本信息
专利标题 ：
整合FRD的IGBT器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334815A
申请号 ：
CN202210035642.X
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2022-01-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐守一陈广乐蔡铭进
申请人 ：
厦门芯达茂微电子有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市火炬高新区火炬园火炬路56-58号火炬广场北楼606、607、609室
代理机构 ：
厦门加减专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
包爱萍
优先权 ：
CN202210035642.X
主分类号 ：
H01L21/8222
IPC分类号 ：
H01L21/8222 H01L21/225 H01L27/06
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8222
双极工艺
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8222
申请日 : 20220113
申请日 : 20220113
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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