半导体器件的制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种制造半导体器件的方法,该半导体器件有P型发射极层、N型基极层、P型收集极层、P收集极接触层以及氧化物隔离层,该方法包括下列步骤:在衬底上形成氮化物膜形成氧化物隔离层;形成P型收集极层;形成收集极接触－基极防止漏电层;形成N型基层;以及形成P型收集极接触层并形成P型发射极层。其中,杂质浓度高于P型收集极层的收集极接触－基极间防止漏电层形成在P型收集极层与氧化物隔离层相接触的区域内,以防止漏电。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1171626A
申请号 ：
CN97101032.3
公开（公告）日 ：
1998-01-28
申请日 ：
1994-03-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
平井健裕田中光男堀敦下村浩堀川良彦
申请人 ：
松下电器产业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
王以平
优先权 ：
CN97101032.3
主分类号 ：
H01L21/822
IPC分类号 ：
H01L21/822 H01L21/8222 H01L21/76 H01L21/331
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
法律状态
2004-06-16 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
1998-01-28 ：
公开
1998-01-07 ：
实质审查请求的生效
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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