本发明提供一种半导体器件及其制造方法，其中该半导体器件包含具有导电氧化物上电极的电容器。铁电电容器形成在衬底上并由一叠层体制成，该叠层体由依次叠置的下电极、电容器铁电膜和上电极构成。上电极由导电氧化物制成，并且上电极的氧浓度分布为该上电极的上层区中的氧浓度低于其下层区中的氧浓度。层间绝缘膜覆盖铁电电容器。贯穿层间绝缘膜形成通孔，并且该通孔到达比上电极上表面深的位置。通孔停止的位置比上电极中氧浓度最大的位置浅。导电元件在通孔底部与上电极接触。