一种谐振器及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种谐振器及其制备方法，涉及半导体技术领域，本发明的谐振器，包括依次层叠设置的底电极层、压电层、顶电极层、键合层和第一衬底层，键合层上设有第一通孔和依次围绕第一通孔的至少两个第一环形通槽，顶电极层上设有与至少两个第一环形通槽一一对应的第二环形通槽，第一环形通槽和第二环形通槽内填充有固体材料，固体材料的声阻抗低于键合层和顶电极层的声阻抗。本发明提供的谐振器，在器件有效区的周围设有声子晶体结构，能够减少声波能量的横向泄露，具有较高的品质因数。
基本信息
专利标题 ：
一种谐振器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114421913A
申请号 ：
CN202210066325.4
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2022-01-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
罗天成蔡耀刘炎孙成亮孙博文赵坤丽
申请人 ：
武汉敏声新技术有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区花城大道9号武汉软件新城三期D7栋4层01号
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
崔熠
优先权 ：
CN202210066325.4
主分类号 ：
H03H9/02
IPC分类号 ：
H03H9/02 H03H9/13 H03H9/17 H03H3/02
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03H 9/02
申请日 : 20220120
申请日 : 20220120
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
