一种半导体结构的形成方法、结构以及存储器
实质审查的生效
摘要
本申请公开了一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底具有阵列区和外围区；在所述阵列区的表面上形成保护层，且在所述外围区的表面上形成第一多晶硅层；在阵列区开设接触孔，所述接触孔贯穿保护层并延伸至衬底内部；在所述接触孔限制的范围内形成第二多晶硅层，在所述第二多晶硅层上形成位线接触结构。本申请方法通过减少位线接触结构的高度，继而减少其面积，能够减少寄生电容。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体结构的形成方法、结构以及存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446891A
申请号 ：
CN202210106332.2
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2022-01-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
朱小锋
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
北京中政联科专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
郑久兴
优先权 ：
CN202210106332.2
主分类号 ：
H01L21/8242
IPC分类号 ：
H01L21/8242 H01L27/108
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8239
存储器结构
H01L21/8242
动态随机存取存储结构
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8242
申请日 : 20220128
申请日 : 20220128
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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