一种红黄GaAs系LED芯片及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种红黄GaAs系LED芯片及其制备方法，涉及芯片技术领域，该芯片包括：GaAs衬底；外延层，设于所述GaAs衬底的一侧表面；高掺GaP层，包括第一GaP层、第二GaP层以及依次设于所述第一GaP层与所述第二GaP层之间的多个过渡GaP层，所述第一GaP层设于所述外延层上远离所述GaAs衬底的一侧表面，所述第二GaP层设于所述过渡GaP层上远离所述第一GaP层的一侧表面，所述第二GaP层内注入有be离子；ODR全反射层，包括反射介质层及镜面金属层，所述反射介质层及镜面金属层依次设于所述第二GaP层上远离所述第一GaP层的一侧表面。本发明能够解决现有技术中作为介质层的SiO2不导电，虽然蚀刻出了CB孔作为欧姆接触通道，但仍会使芯片的整体电压升高的技术问题。
基本信息
专利标题 ：
一种红黄GaAs系LED芯片及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551667A
申请号 ：
CN202210110241.6
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-01-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
窦志珍兰晓雯杨琦贾钊胡加辉金从龙顾伟
申请人 ：
江西兆驰半导体有限公司
申请人地址 ：
江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号
代理机构 ：
南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘红伟
优先权 ：
CN202210110241.6
主分类号 ：
H01L33/06
IPC分类号 ：
H01L33/06 C30B25/02 C30B29/44 C30B31/22 H01L33/00 H01L33/10
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/06
申请日 : 20220129
申请日 : 20220129
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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