一种红黄GaAs系LED芯片及制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种红黄GaAs系LED芯片及制备方法，该红黄GaAs系LED芯片包括依次层叠设置的GaAs衬底、外延层、高掺GaP层以及反射层，所述高掺GaP层包括依次设置的第一碳掺GaP层、第二碳掺GaP层、第三碳掺GaP层以及第四碳掺GaP层，所述第一碳掺GaP层设置在靠近所述外延层的一侧，所述第一碳掺GaP层与所述第二碳掺GaP层、所述第二碳掺GaP层与所述第三碳掺GaP层之间均设有多个过渡GaP层，所述反射层包括介质层和金属镜面层，所述介质层设于靠近所述高掺GaP层的一侧。本发明解决了现有技术中的LED芯片发光效率低的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种红黄GaAs系LED芯片及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551658A
申请号 ：
CN202210110612.0
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-01-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
窦志珍兰晓雯杨琦贾钊胡加辉金从龙顾伟
申请人 ：
江西兆驰半导体有限公司
申请人地址 ：
江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号
代理机构 ：
南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘红伟
优先权 ：
CN202210110612.0
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 C30B23/02 C30B29/40 H01L33/30
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/00
申请日 : 20220129
申请日 : 20220129
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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