一种陶瓷封装基座及其制备方法和应用
授权
摘要
本发明公开了一种陶瓷封装基座及其制备方法和应用，所述陶瓷封装基座包括层叠设置的至少两层陶瓷基板；所述陶瓷基板表面设有导电层；所述陶瓷基板上设有贯穿陶瓷基板的通孔；所述通孔内填充通孔导体；所述通孔导体与导电层连接，所述通孔导体包括玻璃相和结晶相；所述结晶相包括Mg‑Al‑O尖晶石相、W晶相中的至少一种；所述玻璃相和Mg‑Al‑O尖晶石相的质量比为（2~4.2）：1。本发明中的通孔导体可以避免陶瓷封装基座在烧结、封焊加工等高温加工过程中因为通孔导体与陶瓷基板材料收缩不匹配而出现的通孔导体开裂、脱离通孔侧壁，以及通孔崩瓷等问题。
基本信息
专利标题 ：
一种陶瓷封装基座及其制备方法和应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114171479A
申请号 ：
CN202210131888.7
公开（公告）日 ：
2022-03-11
申请日 ：
2022-02-14
授权号 ：
CN114171479B
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
张磊李钢
申请人 ：
潮州三环（集团）股份有限公司;德阳三环科技有限公司
申请人地址 ：
广东省潮州市潮安区凤塘镇凤岗村新风路三环工业城内综合楼
代理机构 ：
广州嘉权专利商标事务所有限公司
代理人 ：
梅素丽
优先权 ：
CN202210131888.7
主分类号 ：
H01L23/48
IPC分类号 ：
H01L23/48 H01L21/48 H01L23/15 H01B1/14
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
法律状态
2022-05-24 ：
授权
2022-03-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/48
申请日 : 20220214
申请日 : 20220214
2022-03-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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