一种用于耗尽型GaN HEMT器件堆叠封装方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了用于耗尽型GaNHEMT器件堆叠封装方法，通过将耗尽型GaNHEMT器件通过机械减薄得到芯片的晶圆，并将晶圆切割至预设尺寸，将胶带贴在晶圆的背面且用铁圈固定起来，采用晶片切割机将晶圆片切成一颗颗芯片，将切割后的芯片放置在导线架或基板中的晶片座上，并以银浆或金‑硅共晶黏合法黏住固定送至烘烤，烘烤完成后送入压焊机物料轨道，先用铝线后用铜线进行压焊得到待封装器件，将待封装器件的栅极和启动管的源极分别使用金属加厚并进行键合形成用于耗尽型GaNHEMT器件的堆叠封装结构，通过在芯片上堆叠封装Si增强型VDMOS，大大增加了功率器件芯片的热耗散，提高了器件工作的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种用于耗尽型GaN HEMT器件堆叠封装方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551249A
申请号 ：
CN202210141635.8
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-02-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
顾岚雁林河北梅小杰解维虎覃尚育陈永金
申请人 ：
深圳市金誉半导体股份有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙华区大浪街道浪口社区华昌路315号1层(华昌路工业区14栋1-3层,17栋1-3层)
代理机构 ：
深圳峰诚志合知识产权代理有限公司
代理人 ：
何耀平
优先权 ：
CN202210141635.8
主分类号 ：
H01L21/50
IPC分类号 ：
H01L21/50 H01L23/34 H01L25/18 H01L29/778 H01L29/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/50
申请日 : 20220216
申请日 : 20220216
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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