一种在绝缘衬底上低温生长高质量石墨烯的工艺方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种在绝缘衬底上低温生长高质量石墨烯的工艺方法，该方法包括以下步骤：将超薄单晶铜箔通过压合的方式贴附在绝缘衬底上作为催化生长石墨烯的基材；将覆有铜箔的衬底置于三温区热CVD系统中使用梯度温控的方法低温生长石墨烯；生长完成后再PMMA支撑层的辅助下去除衬底行残留的铜。该方法生长的石墨烯质量高、破损少，适用于无法耐受高温的衬底，且工艺简单，可用于大规模工业生产。
基本信息
专利标题 ：
一种在绝缘衬底上低温生长高质量石墨烯的工艺方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114524431A
申请号 ：
CN202210173105.1
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2022-02-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐晨邓军钱峰松解意洋胡良臣
申请人 ：
北京工业大学
申请人地址 ：
北京市朝阳区平乐园100号
代理机构 ：
北京思海天达知识产权代理有限公司
代理人 ：
沈波
优先权 ：
CN202210173105.1
主分类号 ：
C01B32/186
IPC分类号 ：
C01B32/186
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B32/00
碳；其化合物
C01B32/15
纳米级碳材料
C01B32/182
石墨烯
C01B32/184
制备
C01B32/186
化学气相沉积
法律状态
2022-06-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C01B 32/186
申请日 : 20220224
申请日 : 20220224
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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