基于异质晶体管堆叠结构的混合功率放大器
公开
摘要
本发明公开一种基于异质晶体管堆叠结构的混合功率放大器，包括第一晶体管和第二晶体管，其中第一晶体管为氮化镓HEMT，第二晶体管为砷化镓HBT，第一晶体管的源极与第二晶体管的集电极连接，第一晶体管的栅极施加栅极偏置电压，漏极接有电源；第二晶体管的基极施加基极偏置电压，其发射极接地。本发明利用氮化镓HEMT和砷化镓HBT两种异质晶体管堆叠，利用晶体管堆叠的分压特性，可以提高氮化镓晶体管的栅极电压，从而消除负压。整体晶体管的开启阈值由砷化镓HBT决定，阈值电压较为稳定，同时堆叠晶体管会比单独晶体管提高约3dB的增益，使得整体氮化镓放大器具有更高的增益。
基本信息
专利标题 ：
基于异质晶体管堆叠结构的混合功率放大器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114567263A
申请号 ：
CN202210207867.9
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2022-03-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
闫伟黄飞
申请人 ：
优镓科技（苏州）有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市高新区金山东路78号2幢Z104室
代理机构 ：
泰和泰律师事务所
代理人 ：
张芳
优先权 ：
CN202210207867.9
主分类号 ：
H03F1/02
IPC分类号 ：
H03F1/02 H03F1/56 H03F3/195 H03F3/213
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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