一种钴基氧化物薄膜的原子层沉积方法
实质审查的生效
摘要
本发明属于薄膜材料技术领域，涉及钴基氧化物薄膜技术领域，具体涉及一种钴基氧化物薄膜的原子层沉积方法，本发明以二羰基三甲基硅基环戊二烯基钴(TMSCpCo(CO)2,C10H13CoSiO2)为金属前驱体，以臭氧为共反应物，以高纯氮气作为载气和清洗气体，采用ALD技术制备氧化钴薄膜，相对于传统的物理、化学气相沉积法，本发明方法具有薄膜厚度精确可控、大面积沉积均匀性好、沉积温度低、台阶覆盖率好等特点。本发明提出的是一种基于新型钴金属前驱体的ALD沉积工艺；该工艺适用于多种不同材料和形貌的衬底，扩宽了氧化钴薄膜的ALD沉积工艺，对ALD技术在更多领域的应用提供了研究基础。
基本信息
专利标题 ：
一种钴基氧化物薄膜的原子层沉积方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114540793A
申请号 ：
CN202210211538.1
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-03-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
万志鑫奚斌
申请人 ：
中山大学
申请人地址 ：
广东省广州市海珠区新港西路135号
代理机构 ：
深圳市创富知识产权代理有限公司
代理人 ：
高冰
优先权 ：
CN202210211538.1
主分类号 ：
C23C16/40
IPC分类号 ：
C23C16/40 C23C16/455
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/30
沉积化合物、混合物或固溶体，例如硼化物、碳化物、氮化物
C23C16/40
氧化物
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/40
申请日 : 20220304
申请日 : 20220304
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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