一种空间寿命非均匀分布的半导体器件及制作方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种空间寿命非均匀分布的半导体器件，阴极下方的少子寿命低于门极下方的少子寿命。本发明的空间寿命非均匀分布的半导体器件及制作方法，通过优化稳态载流子分布密度，优化关断瞬态的电场分布，提高单个元胞的关断电流能力，从而改善器件的安全工作区。
基本信息
专利标题 ：
一种空间寿命非均匀分布的半导体器件及制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497190A
申请号 ：
CN202210382496.8
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-04-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴锦鹏曾嵘任春频刘佳鹏李晓钊余占清赵彪屈鲁
申请人 ：
清华大学
申请人地址 ：
北京市海淀区清华园
代理机构 ：
北京知联天下知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张迎新
优先权 ：
CN202210382496.8
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/747 H01L21/263 H01L21/332
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20220413
申请日 : 20220413
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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