一种基于双暗斑联合抑制的超分辨光刻方法及光刻胶
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种基于双暗斑联合抑制的超分辨光刻方法及光刻胶，该方法基于边缘光抑制纳米刻写技术，通过双抑制光斑的结合实现在保证最大抑制强度不变的前提下压缩暗斑抑制区域，一定程度解决由抑制光过强引起刻写线宽变粗的难题，实现等效刻写光斑的压缩，从而进一步缩小纳米刻写线宽。利用本发明的方法可以实现更高精度的纳米加工能力，可为微机械、微光学、微流控等领域提供更高精度的加工手段。
基本信息
专利标题 ：
一种基于双暗斑联合抑制的超分辨光刻方法及光刻胶
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114527629A
申请号 ：
CN202210417713.2
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2022-04-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
匡翠方邱毅伟丁晨良
申请人 ：
之江实验室;浙江大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市余杭区之江实验室南湖总部
代理机构 ：
北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
奚丽萍
优先权 ：
CN202210417713.2
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20 G03F7/027
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2022-06-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 7/20
申请日 : 20220421
申请日 : 20220421
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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