一种半导体制程的扩片温度控制装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种半导体制程的扩片温度控制装置，涉及芯片封装领域，包括底座，所述底座顶部固定连接有降温柱，降温柱顶部设置有模具，模具上表面固定粘接有DAF带，卡盘下表面固定连接有若干个导热环，导热环底部左侧固定连接有L形导热柱，L形导热柱底端固定连接有加热器，底座上表面右侧固定连接有支撑柱，支撑柱顶部固定连接有支撑板，支撑板左侧顶部固定连接有冷风机，支撑板左侧底部固定连接有吹风管，冷风机左端固定连接有连通管，连通管底端固定连接在支撑板上表面，连通管与吹风管相连通。本实用新型通过设置加热器、导热环和冷风机，使得使扩片过程中可以轻易地扩片成功，提升分离比降低，增加产率。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体制程的扩片温度控制装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202220061757.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2022-01-11
授权号 ：
CN216719886U
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
王路瑶张磊刘嘉涵罗志胜
申请人 ：
康佳芯云半导体科技（盐城）有限公司
申请人地址 ：
江苏省盐城市盐都区盐龙街道盐渎路南、创智路东
代理机构 ：
苏州汇智联科知识产权代理有限公司
代理人 ：
李秀娟
优先权 ：
CN202220061757.1
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-06-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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