半导体制造的度量和制程控制
授权
摘要

一种半导体度量系统包括:光谱获取工具,用于使用第一量测协议收集在第一半导体晶圆靶上的基线散射量度光谱,及对于光谱可变性的各种源,收集在第二半导体晶圆靶上的散射量度光谱的可变性集合,前述可变性集合体现前述光谱可变性;参考度量工具,用于使用第二量测协议收集前述第一半导体晶圆靶的参数值;及训练单元,用于使用前述所收集光谱及值来使用机器学习训练预测模型,且最小化并入光谱可变性项的相关联的损耗函数,前述预测模型用于基于生产半导体晶圆靶的光谱对于前述生产半导体晶圆靶预测值。

基本信息
专利标题 :
半导体制造的度量和制程控制
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN111566566A
申请号 :
CN201980007561.5
公开(公告)日 :
2020-08-21
申请日 :
2019-06-14
授权号 :
CN111566566B
授权日 :
2022-04-08
发明人 :
埃坦·罗特施泰因伊尔雅·拉比诺维奇诺姆·塔尔巴瑞克·布兰欧利兹金涌河艾瑞儿·布罗伊特曼奥代德·科亨伊伦·拉比诺维奇塔尔·扎哈罗尼珊·尤戈夫丹尼尔·堪德尔
申请人 :
诺威量测设备股份有限公司
申请人地址 :
以色列雷霍沃特
代理机构 :
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 :
沈丹阳
优先权 :
CN201980007561.5
主分类号 :
G03F7/20
IPC分类号 :
G03F7/20  G06N20/00  G01B11/22  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F7/00
图纹面,例如,印刷表面的照相制版如光刻工艺;图纹面照相制版用的材料,如:含光致抗蚀剂的材料;图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2022-04-08 :
授权
2021-12-17 :
著录事项变更
IPC(主分类) : G03F 7/20
变更事项 : 申请人
变更前 : 诺威量测设备股份有限公司
变更后 : 诺威有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 以色列雷霍沃特
变更后 : 以色列雷霍沃特
2020-09-15 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 7/20
申请日 : 20190614
2020-08-21 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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