用以制造半导体装置的双镶嵌制程
授权
摘要
本发明提供一种用以制造半导体装置的双镶嵌制程。在一基底上形成一介电层，其内具有至少一连接窗开口。在介电层中的连接窗开口上方形成一沟槽开口并通过原位蚀刻以扩大连接窗开口。本发明所述的用以制造半导体装置的双镶嵌制程，通过原位整合的双镶嵌制程可因简化制程而降低制造成本及增加产能。再者，实施连接窗开口侧向放大步骤所形成的内连线可进一步降低本身的接触电阻，而改善装置的效能。
基本信息
专利标题 ：
用以制造半导体装置的双镶嵌制程
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1885523A
申请号 ：
CN200510137415.4
公开（公告）日 ：
2006-12-27
申请日 ：
2005-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
钟嘉麒蔡信谊
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200510137415.4
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2008-07-16 ：
授权
2007-02-14 ：
实质审查的生效
2006-12-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
